1.本發(fā)明涉及濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種生產(chǎn)電積鈷的方法。
背景技術(shù):
2.目前,電積鈷的生產(chǎn)以氯化體系為主,電積過程中會(huì)產(chǎn)生大量的cl2,稍有不慎即會(huì)造成cl2泄露,不僅會(huì)對(duì)環(huán)境造成重大污染,同時(shí)嚴(yán)重影響生產(chǎn)人員的身體健康,同時(shí)還會(huì)縮短生產(chǎn)電積鈷設(shè)備的使用年限。與氯化體系生產(chǎn)電積鈷相比,采用電積coso4生產(chǎn)電積鈷的方法不會(huì)產(chǎn)生cl2,但存在鈷板質(zhì)量較差,電流效率較低的缺陷。
3.其中,專利cn101532095公開了一種非鹽酸電解質(zhì)生產(chǎn)電積鈷的方法,該專利制取的cocl2溶液通過萃取轉(zhuǎn)型、脫氯、除油之后才得到電解液,存在工序長(zhǎng)、生產(chǎn)成本高的缺點(diǎn);
4.專利cn102206761公開了一種生產(chǎn)高純鈷的方法,該方法在電積前先通過離子交換去除電解液中的fe和ni,電積出來的鈷板再通過真空熔煉的方法得到鈷錠,該方法存在工序長(zhǎng)、設(shè)備復(fù)雜、生產(chǎn)成本高的缺點(diǎn);
5.專利cn103436913公開了一種電積鎳或電積鈷的裝置,該裝置在電積槽內(nèi)設(shè)置有陰極框和陽極框,在陰極框和陽極框之間設(shè)置了滲透膜,極板框會(huì)占據(jù)一定的空間,減小電積槽的有效體積,從而降低了產(chǎn)能;此外,該專利公開的滲透膜材質(zhì)為滌綸短纖,具有一定的局限性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
6.基于現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足,本發(fā)明提供了一種生產(chǎn)電積鈷的方法,用于改善操作環(huán)境,降低對(duì)設(shè)備的腐蝕,減少原材料的消耗、提高電流效率等。
7.具體技術(shù)方案如下:
8.一種生產(chǎn)電積鈷的方法,其特征在于,包括如下步驟:
9.s1,浸出、除鐵:鈷原料經(jīng)破碎、球磨后用h2so4和so2浸出,得到coso4浸出液,浸出液除鐵后得到除鐵后液;所述除鐵后液中fe濃度小于1mg/l,以減輕萃取工序的負(fù)擔(dān)。
10.s2,萃?。撼F后液經(jīng)p204萃雜工序除去溶液中雜質(zhì)元素,除雜后的萃余液進(jìn)入p507萃鈷工序,用硫酸或電積后液反萃得到純凈的coso4溶液,所述coso4溶液中鈷離子濃度為60~100g/l,電解液中鈷離子的濃度越大,有利于生成致密的陰極沉積物,減少氫離子放電,有利于提高電流密度,但鈷離子濃度過大,會(huì)得到暗色的海綿狀陰極沉積物,工業(yè)上電積液中鈷離子濃度一般為60~100g/l,而這種濃度容易得到優(yōu)質(zhì)的電積鈷產(chǎn)品。
11.s3,深度凈化:采用萃取法或離子交換法進(jìn)一步除去coso4溶液中的少量雜質(zhì),并對(duì)coso4溶液進(jìn)行深度除油,深度
聲明:
“生產(chǎn)電積鈷的方法與流程” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)