本發(fā)明涉及氣相沉技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種碳化硅化學(xué)氣相沉積爐的進(jìn)氣裝置。 背景技術(shù)： 化學(xué)氣相沉積(chemicalvapourdeposition，cvd)常用來生產(chǎn)各種高純固體材料?；瘜W(xué)氣相沉積碳化硅是通過含有硅、碳元素的小分子前驅(qū)物在沉積室內(nèi)一定條件下分解、反應(yīng)生成的薄膜材料。一甲基三氯硅烷(mts)是一種工業(yè)上常用的化學(xué)氣相沉積碳化硅液態(tài)前驅(qū)物，反應(yīng)方程式如下：ch3sicl3→sic+3hcl，在制備過程中通常會用到氫氣和氬氣，其中氫氣參與中間反應(yīng)過程，作為反應(yīng)氣體使用，氬氣經(jīng)常作為稀釋氣體使用。 目前，存在若干種辦法向沉積室供應(yīng)mts蒸汽：第一種是鼓泡法，鼓泡法是將載氣(氫氣)通到mts前驅(qū)物中利用載氣產(chǎn)生的氣泡將前驅(qū)物蒸汽帶到沉積室內(nèi)；第一種方法的優(yōu)點(diǎn)是載氣的比熱容大，在輸送前驅(qū)物的過程中前驅(qū)物不容易液化；而該方法的缺點(diǎn)：產(chǎn)生的混合蒸汽包含載氣和前驅(qū)物兩種成分，需要根據(jù)鼓泡室的溫度和壓力來確定二者的比例，鼓泡容器的形狀也會影響二者的比例；而且隨著前驅(qū)物的消耗，鼓泡容器內(nèi)的空間也會發(fā)生變化，前驅(qū)物的蒸發(fā)速率會有一定的變化，導(dǎo)致載氣和前驅(qū)物的比例發(fā)生變化，在實(shí)踐中很難精確控制載氣和前驅(qū)物的比例。第二種是通過加熱蒸發(fā)mts前驅(qū)物，并將所得蒸氣供應(yīng)到沉積室，其中通過質(zhì)量流量控制器(mfc)控制流量；第二種方法優(yōu)點(diǎn)是可以在單位時(shí)間產(chǎn)生大量的前驅(qū)體蒸汽，也便于調(diào)節(jié)mts與氫氣的比例；缺點(diǎn)是加熱的前驅(qū)體蒸汽在輸送過程中容易液化堵塞管道。第三種是將mts以液體形式供應(yīng)至蒸發(fā)室，其中通過液體質(zhì)量流量控制器(lmfc)控制流量，然后mts在使用時(shí)由容器蒸發(fā)得到蒸氣供給到沉積室。第三種方法可以精確控制mts的流量，但是在蒸發(fā)室內(nèi)產(chǎn)生的蒸汽容易形成懸浮小液滴，因此供給到沉積室內(nèi)的mts氣體量小于供給的mts液體量。上述幾種方法在實(shí)踐中也容易產(chǎn)生氣溶膠(懸浮的小液滴)將mts中的雜質(zhì)帶入沉積室內(nèi)影響碳化硅產(chǎn)品的純度。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 本發(fā)明提供了一種碳化硅化學(xué)氣相沉積爐的進(jìn)氣裝置，其目的是為了解決傳統(tǒng)供氣方法氣體比例不確定、氣體容易冷凝堵塞管道、氣體容易產(chǎn)生氣凝膠影響碳化硅產(chǎn)品質(zhì)量等問題。 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種碳化硅化學(xué)氣相沉積爐的進(jìn)氣裝置，包括：儲液室、汽化室、混合室和稀釋室，所述儲液室設(shè)置有一注液口，所述混合室設(shè)置有一混合管道，所述稀釋室設(shè)置