1.本實(shí)用新型涉及焦耳爐的輔助加熱技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種用于焦耳爐的輔助加熱裝置。 背景技術(shù)： 2.焦耳爐是通過(guò)電極通電產(chǎn)生焦耳熱的熔爐，電極一般布置在焦耳爐下部?jī)蓚?cè)。在焦耳爐啟動(dòng)時(shí)，布置在下部?jī)蓚?cè)的電極通電后溫度迅速上升，焦耳爐內(nèi)上下部分產(chǎn)生較大溫差，且單靠電極加熱焦耳爐內(nèi)需要很長(zhǎng)的啟爐時(shí)間，這時(shí)就需要加入輔助加熱裝置，來(lái)對(duì)焦耳爐進(jìn)行輔助加熱，減少加熱時(shí)間，通常采用管式輔助加熱裝置，同時(shí)管內(nèi)設(shè)置的硅片?，F(xiàn)公開(kāi)一種焦耳爐的輔助加熱裝置，能較好的減少啟爐時(shí)的溫差及縮短啟爐時(shí)間。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 3.本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種用于焦耳爐的輔助加熱裝置。 4.本實(shí)用新型的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的：一種用于焦耳爐的輔助加熱裝置，所述裝置包括碳硅加熱組件，所述碳硅加熱組件包括主碳硅加熱組件和副碳硅加熱組件，其中副碳硅加熱組件布置于主碳硅加熱組件的側(cè)方位，所述主碳硅加熱組件和副碳硅加熱組件的加熱管體沒(méi)入焦耳爐內(nèi)液面的深度不同，所述主碳硅加熱組件沒(méi)入焦耳爐內(nèi)液面的深度大于副碳硅加熱組件沒(méi)入焦耳爐內(nèi)液面的深度，對(duì)爐體的加熱，加熱源分散加熱效果更好些，也防止熱源集中爐體皸裂，而碳硅加熱組件插入不同的深度可以加熱不同的位置，在啟爐時(shí)，由于玻璃物料是分批加入再進(jìn)行熔融的，所以需要在低液位深度插入碳硅加熱組件。 5.作為優(yōu)選的，所述副碳硅加熱組件兩支為一組，并且分別布置于主碳硅加熱組件的兩側(cè)，所述副碳硅加熱組件以主碳硅加熱組件中心對(duì)稱(chēng)布置，便于兩側(cè)加熱，所述副碳硅加熱組件的組數(shù)不小于2。 6.作為優(yōu)選的，以主碳硅加熱組件為中心，依次布置的各組副碳硅加熱組件沒(méi)入焦耳爐內(nèi)液面的深度逐次降低，使得兩側(cè)更好的均勻受熱。 7.進(jìn)一步的，所述碳硅加熱組件包括碳硅加熱棒和不銹鋼套管，所述不銹鋼套管套接在碳硅加熱棒上，并且插入高液位深度至少50mm，不銹鋼套管用于保護(hù)碳硅加熱棒。 8.作為優(yōu)選的，所述不銹鋼套管內(nèi)部設(shè)置有熱電偶，熱電偶與碳硅加熱棒電連接，不銹鋼套管同時(shí)保護(hù)熱電偶，熱電偶用于測(cè)量和控制碳硅加熱棒的溫度。 9.進(jìn)一步的，所述碳硅加熱組件頂部設(shè)置有吊耳，吊耳是安裝在設(shè)備或其他吊物之上用于提升的吊點(diǎn)結(jié)構(gòu)。 10.進(jìn)一步的，所述碳硅加熱組件設(shè)置有固定裝置，固定裝置用于固定碳硅加熱組件的位置。 11.本實(shí)用新型的有益效果是： 12.1、本實(shí)用新型通過(guò)