本發(fā)明涉及電介質(zhì)儲(chǔ)能材料,特別涉及一種高介電高儲(chǔ)能微晶玻璃介質(zhì)材料及其制備方法,制備的微晶玻璃介質(zhì)材料的化學(xué)組分為:x(AXO3)?y(aSiO2?bB2O3?cAl2O3)?zMmOn;介電常數(shù)可在200?1500范圍內(nèi)調(diào)節(jié),直流耐擊穿強(qiáng)度范圍為0.9?2.0MV/cm,最高理論儲(chǔ)能密度達(dá)71.6J/cm3,可用于各種高儲(chǔ)能密度及超高壓電容器的制備;同時(shí)玻璃組成中無(wú)鉛,達(dá)到了環(huán)保的目的。
聲明:
“高介電高儲(chǔ)能微晶玻璃介質(zhì)材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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