權(quán)利要求書： 1.一種晶圓測(cè)厚儀，其特征在于，包括：基座；所述基座頂部設(shè)有放置平臺(tái)和支撐架；所述支撐架上安裝有觸摸顯示器和上電容傳感器；所述基座內(nèi)安裝有下電容傳感器和抽真空裝置；且所述下電容傳感器位于上電容傳感器的正下方；所述放置平臺(tái)表面設(shè)有1個(gè)測(cè)試孔和至少3個(gè)真空吸附孔；所述測(cè)試孔位于下電容傳感器的正上方及上電容傳感器的正下方；所述真空吸附孔環(huán)繞測(cè)試孔均勻分布，且各真空吸附孔通過(guò)環(huán)形氣道相互導(dǎo)通；所述真空吸附孔與真空接入嘴連接；所述真空接入嘴通過(guò)管路與抽真空裝置導(dǎo)通；所述真空吸附孔與真空接入嘴的銜接處還設(shè)有密封蓋。2.如權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)厚儀，其特征在于：所述放置平臺(tái)表面設(shè)有一層防靜電特氟龍涂層。3.如權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)厚儀，其特征在于：所述上電容傳感器外側(cè)安裝有防護(hù)外殼。4.如權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)厚儀，其特征在于：所述支撐架包括對(duì)稱設(shè)置的左支撐骨架和右支撐骨架；且所述左支撐骨架和右支撐骨架之間設(shè)有加強(qiáng)筋。5.如權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)厚儀，其特征在于：所述抽真空裝置包括依序連接的壓縮空氣接入口，氣源三聯(lián)件，電磁閥和真空發(fā)生器。6.如權(quán)利要求1所述晶圓測(cè)厚儀，其特征在于：所述基座底部設(shè)有可升降地腳。 說(shuō)明書： 晶圓測(cè)厚儀技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本申請(qǐng)涉及電子測(cè)量設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種晶圓測(cè)厚儀。背景技術(shù)[0002] 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，可用于加工制成各種電路元件。而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。在晶圓加工過(guò)程中，只有經(jīng)過(guò)研磨拋光后的晶圓才能進(jìn)入刻蝕，化學(xué)沉積，電鍍等工藝。因此實(shí)踐中需要對(duì)晶圓厚度進(jìn)行精確的測(cè)量和控制。現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)采用非接觸式測(cè)量方法對(duì)晶圓厚度進(jìn)行測(cè)量時(shí)，由于晶圓邊沿可能存在細(xì)微的翹曲，因此測(cè)量結(jié)果會(huì)存在亞微米級(jí)的測(cè)量誤差。因此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N新型的晶圓帶阻力感應(yīng)的搬運(yùn)機(jī)械手，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題。實(shí)用新型內(nèi)容[0003] 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N晶圓測(cè)厚儀，能夠克服晶圓邊沿翹曲帶來(lái)的檢測(cè)誤差，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓厚度在亞微米級(jí)別的精確測(cè)量。[0004] 其采用的技術(shù)方案如下：[0005] 一種晶圓測(cè)厚儀，其包括：基座；所述基座頂部設(shè)有放置平臺(tái)和支撐架；所述支撐架上安裝有觸摸顯示器和上電容傳感器；所述基座內(nèi)安裝有下電容傳感器