本發(fā)明公開了磁控濺射法制備TiCoSb半導(dǎo)體薄膜，涉及無機(jī)化合物功能薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域及磁控濺射技術(shù)領(lǐng)域。其特征在于是通過一種特殊設(shè)計(jì)的復(fù)合靶材，利用普通磁控濺射及后退火處理得到成分分布均勻的、符合化學(xué)計(jì)量比的多元素化合物TiCoSb薄膜。其主要工藝參數(shù)為：濺射功率20W，工作氣壓0.7Pa，濺射時(shí)間60-120min，快速退火時(shí)間1-5min，常規(guī)退火時(shí)間30-120min。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了TiCoSb材料的薄膜化，為對(duì)其熱電和光電性能的進(jìn)一步研究及對(duì)其在薄膜熱電、光電器件領(lǐng)域的應(yīng)用有相當(dāng)積極的作用。