本發(fā)明公開了大面積ABX3型鈣鈦礦晶體薄膜生長方法及裝置，所述裝置包括一生長單元，所述生長單元包括生長基底、背板基底、U型薄膜；所述生長基底和背板基底相對平行設(shè)置，所述U型薄膜設(shè)置于其間，在中間形成一面開口三面密封的生長空腔。將鈣鈦礦生長溶液并注入上述裝置中，通過調(diào)控鈣鈦礦晶體的生長溫度和不斷更換新鮮的生長溶液，制備大面積鈣鈦礦晶體薄膜。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明使用所述裝置生長所得的鈣鈦礦晶體薄膜面積大，厚度薄，缺陷少，穩(wěn)定性好，可以在基底上原位生長鈣鈦礦晶體薄膜，接觸性好，方便于器件的制備，所得的晶體薄膜可直接用于太陽電池、光探測器、光發(fā)射二極管、激光器及光催化等光電和發(fā)光器件。