本發(fā)明涉及一種采用真空熔鑄法制備鉻靶的方法,依下述步驟進行:a.Cr塊的挑選:將有氧化皮、被污染的Cr塊挑出;b.熔煉:將合格的Cr塊裝入中頻真空感應(yīng)爐中,升溫速率為10-18℃/min,熔煉溫度為1800~2000℃;c.澆注:以0.6~0.8m/s的澆注速度快速澆鑄到水冷Cu模中,進行快速冷卻,制得Cr靶。本發(fā)明通過感應(yīng)加熱方法,在高溫下將材料熔化,快速澆鑄,并輔以快速冷卻,實現(xiàn)快速形核并且抑制核長大,本方法制得的Cr靶,具有成分均勻、致密性高、晶粒細(xì)小、純度高、工藝簡單、成本低等優(yōu)良的綜合性能。
聲明:
“采用真空熔鑄法制備鉻靶的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)