本發(fā)明公開了一種芳香胺構(gòu)筑的二維雙層DJ型鈣鈦礦材料及制備方法和應(yīng)用,屬于光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。針對(duì)目前三維鈣鈦礦在高工作電壓和強(qiáng)輻照狀態(tài)下運(yùn)行時(shí)由于內(nèi)部強(qiáng)烈的離子遷移,性能衰減的非??斓膯?wèn)題。本發(fā)明在三維結(jié)構(gòu)中引入有機(jī)大陽(yáng)離子形成低維層狀鈣鈦礦材料可以有效的抑制鈣鈦礦內(nèi)部的離子遷移,同時(shí)合適的無(wú)機(jī)層數(shù)也能保證良好的半導(dǎo)體性能。在二維鈣鈦礦體系中,DJ型鈣鈦礦的穩(wěn)定性和載流子傳輸性能都要優(yōu)于RP型,提供了一種高質(zhì)量的、大體積的多層DJ雜化鈣鈦礦材料及其商業(yè)化應(yīng)用。
聲明:
“芳香胺構(gòu)筑的二維雙層DJ型鈣鈦礦及制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)