本發(fā)明涉及一種芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊，模塊由上、下碳化硅MOSFET芯片，上、下DBC基板，導(dǎo)電墊塊，納米銀焊膏，高溫焊料，功率端子，信號(hào)端子，硅凝膠和環(huán)氧樹脂組成。本發(fā)明通過納米銀焊膏將碳化硅MOSFET芯片分別焊接在上下DBC基板的覆銅層，同時(shí)對(duì)芯片表面電極做了鍍金處理，通過導(dǎo)電墊塊實(shí)現(xiàn)芯片表面電極與外部的電氣連接，利用高溫焊料將功率端子和信號(hào)端子從DBC基板的覆銅層引出。本發(fā)明用墊塊完全取代了模塊中的鍵合線，減小了寄生電感，提高了模塊的可靠性。同時(shí)通過將芯片分別焊接在上、下DBC基板，實(shí)現(xiàn)雙面散熱的同時(shí)減小了芯片之間的熱耦合效應(yīng)，降低了模塊的整體熱阻。