本申請涉及釹鐵硼磁體技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種高矯頑力磁體及其制備方法。一種高矯頑力磁體,主要由如下重量份數(shù)的原料制成:材料A 53?68份、材料B 1.9?2.6份、輔料0.55?0.82份;所述材料A包括如下的組分:鐠釹合金、釓鐵合金、硼鐵合金、鈰、銅、鋁、鋯、鈦、鈷;余量為鐵及其他不可避免的雜質(zhì);所述材料B包括如下質(zhì)量百分比的組分:M:23.6?30.2%;Si:0.12?0.35%;Cr:0.1?0.25%;余量為鐵及其他不可避免的雜質(zhì);所述M為Mn、In、Ag、Mg、Y、La、Ce、Sc中的至少一種。本申請的高矯頑力磁體具有矯頑力高、綜合性能好的優(yōu)點。
聲明:
“高矯頑力磁體及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)