本發(fā)明公開了一種硒化物納米棒，屬于納米半導(dǎo)體的制備領(lǐng)域。包括如下步驟：將KOH、SeO2粉、AgNO3和In(NO3)3溶解于非配位溶劑和少量的乙二胺中，在惰性氣體保護(hù)下，溫度為200～240℃，并劇烈攪拌，保溫12～24小時(shí)，制備得到硒化物納米棒。堿在熔融狀態(tài)下的其氫氧根離子分離成和，然后在非配位溶劑的稀釋下，降低其粘度提高其流動(dòng)性，在熔融堿的這樣的堿性環(huán)境中In2Se3形成纖鋅礦結(jié)構(gòu)的晶核，最后通過(guò)乙二胺分子在反應(yīng)混合物中對(duì)晶面的競(jìng)爭(zhēng)性吸附，誘導(dǎo)生長(zhǎng)方向，促使In2Se3晶核繼續(xù)吸附和少量的和各向異性生長(zhǎng)。解決了在實(shí)際使用過(guò)程中，本征電導(dǎo)率過(guò)低，導(dǎo)致探測(cè)器的光譜響應(yīng)度和外量子效率較低的問題。