本發(fā)明涉及一種基于Ga2O3/鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)的光電探測(cè)器的制備方法，包括：選取半絕緣半透明襯底；在所述襯底表面淀積形成底電極；在所述底電極表面淀積Ga2O3層；在所述Ga2O3層表面旋涂鈣鈦礦層；在所述鈣鈦礦層表面淀積形成頂電極，以完成所述光電探測(cè)器的制備。本發(fā)明提供的基于Ga2O3/鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)的光電探測(cè)器，可以探測(cè)從深紫外到近紅外的寬范圍光譜；具有較高的響應(yīng)度和探測(cè)率，同時(shí)具有低的暗電流密度和高的外量子效率；該探測(cè)器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、效率高、響應(yīng)快、工作穩(wěn)定、使用壽命長(zhǎng)，生產(chǎn)成本低，無需昂貴的儀器設(shè)備等優(yōu)點(diǎn)。