本發(fā)明提供了一種雙鈣鈦礦單晶及其制備方法和應(yīng)用、雙鈣鈦礦單晶光電探測(cè)器，涉及單晶材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的Cs2AgErxBi1?xCl6(x為0～0.9)雙鈣鈦礦單晶的粒度≥1mm。與納米級(jí)單晶相比，本發(fā)明提供的雙鈣鈦礦單晶具有更低的缺陷，更高的載流子壽命和遷移率，光致發(fā)光性能和環(huán)境穩(wěn)定性優(yōu)異，應(yīng)用于光電器件中能夠提高光電器件的整體性能；還有利于探究材料的光電特性。進(jìn)一步的，摻鉺雙鈣鈦礦單晶顯著提高光電探測(cè)的光響應(yīng)率和探測(cè)率。而且，傳統(tǒng)的雙鈣鈦礦納米單晶需制成薄膜再應(yīng)用于光電器件中，而本發(fā)明提供的雙鈣鈦礦單晶可直接應(yīng)用于光電器件中，無需先制備成膜，應(yīng)用簡單，成本低。