本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于無(wú)鉛雙鈣鈦礦薄膜的深紫外光探測(cè)器及制備方法。其結(jié)構(gòu)由雙面拋光的Al2O3襯底、n型寬帶隙電子傳輸層、Cs2AgBiBr6光吸收層和接觸電極構(gòu)成。本發(fā)明一方面克服了傳統(tǒng)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定性和鉛毒性等不利因素，另一方面借助寬帶隙電子傳輸層和Cs2AgBiBr6光吸收層間的能帶匹配實(shí)現(xiàn)光生載流子的快速分離和傳輸，同時(shí)亦可將器件的光探測(cè)范圍從可見(jiàn)光擴(kuò)展到深紫外區(qū)域。該器件制備方法簡(jiǎn)單易行、環(huán)境友好，所制備的光電探測(cè)器具有高的探測(cè)率和響應(yīng)速度，有非常重要的應(yīng)用價(jià)值。