本發(fā)明涉及一種光探測結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于鈣鈦礦納米線的光探測結(jié)構(gòu)，包括電極、具有縫隙的鈣鈦礦納米線、二氧化硅層、硅襯底層。二氧化硅層置于硅襯底層上，具有縫隙的鈣鈦礦納米線置于二氧化硅層上，電極加載在具有縫隙的鈣鈦礦納米線兩端。具有縫隙的鈣鈦礦納米線會加強(qiáng)對光的吸收，并且減小了電流橫截面的面積，從而提高探測的靈敏度。