本發(fā)明屬于光電探測器技術(shù)領(lǐng)域，公開了鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測器的反溶劑制備方法。該反溶劑制備方法，包括以下步驟：(1)將基底置于等離子清洗設(shè)備中進行改性處理，制得改性的基底；(2)取步驟(1)制得的改性的基底加熱，然后在改性的基底上滴加鈣鈦礦前驅(qū)體溶液，再滴加反溶劑，反應(yīng)，退火，制得鈣鈦礦薄膜；反溶劑包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一種；退火的溫度為78?122℃。光電探測器具有良好的光電性能，同時具有高的響應(yīng)度、外量子效率和比探測率，光電探測器的響應(yīng)度為200?700μA/W，外量子效率大于0.01，比探測率為108?109Jones。