本發(fā)明屬于光電探測器技術(shù)領(lǐng)域，公開了二維鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測器的反溶劑制備方法。該二維鈣鈦礦薄膜的反溶劑制備方法，包括以下步驟：(1)將基底置于等離子清洗設(shè)備中進行改性處理，制得改性的基底；(2)取步驟(1)制得的改性的基底加熱，然后在改性的基底上滴加鈣鈦礦前驅(qū)體溶液，再滴加反溶劑，反應，退火，制得所述二維鈣鈦礦薄膜；所述反溶劑包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一種。在二維鈣鈦礦薄膜上制備電極，制得光電探測器。該光電探測器的響應時間低于85ms，經(jīng)過近90次循環(huán)光電流衰減不到7.7％，最佳響應度為200?670μA/W，最大光電流為3.5?13.2nA。