一種直接?間接混合型鈣鈦礦X射線探測器以及間接型X射線探測閃爍體材料的光產(chǎn)額計(jì)算方法，屬于X射線探測技術(shù)領(lǐng)域。從下至上，由陽極Au、空穴傳輸層Spiro?OMeTAD、直接?間接混合型鈣鈦礦X射線探測壓片材料、電子傳輸層C60、空穴阻擋層BCP和陰極Cr組成。該器件的Cs3Cu2I5閃爍體可以向MAPbI3半導(dǎo)體發(fā)生電荷能量轉(zhuǎn)移，其響應(yīng)時(shí)間大幅度縮減為36.6ns。另外，該器件在高電場強(qiáng)度下離子遷移現(xiàn)象被有效抑制，使得該器件的最低檢測劑量率相對于直接型X射線探測器MAPbI3和間接型X射線探測器件Cs3Cu2I5分別降低1.5倍和10倍。這種新型X射線探測器為下一代產(chǎn)品提供了新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。