本發(fā)明提出了一種硫化鉬/銫鉛鹵鈣鈦礦量子點(diǎn)光電探測(cè)器及制備方法，涉及光電探測(cè)器的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括襯底層，在襯底層上設(shè)有彼此分隔的兩塊表面電極；在兩塊表面電極之間的襯底層上設(shè)有二維硫化鉬薄膜層，在二維硫化鉬薄膜層上還設(shè)有銫鉛鹵量子點(diǎn)層。本發(fā)明還提供了上述光電探測(cè)器的制備方法，利用配體對(duì)量子點(diǎn)薄膜表面進(jìn)行修飾，從而完成光電探測(cè)器的制備。本發(fā)明在襯底層上制作所需要的電極，將硫化鉬納米薄膜材料覆蓋在襯底上，并在納米薄膜材料上覆蓋銫鉛鹵鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜；本發(fā)明的光電探測(cè)器響應(yīng)速度快，響應(yīng)時(shí)間小于100μs，靈敏度高，適用范圍廣；制備方法操作簡(jiǎn)單，快速高效，簡(jiǎn)單易行，成本低，綠色環(huán)保，適合大規(guī)模生產(chǎn)。