本發(fā)明公開(kāi)基于鐵電調(diào)控二維鈣鈦礦光電探測(cè)器及其制備方法。制備流程為在超聲清潔后SiO2襯底上，采用光刻或掩模版蒸鍍的方法制作柵電極，然后在此之上使用旋涂的方法制備聚偏氟乙烯?三氟乙烯共聚物(P(VDF?TrFE))有機(jī)鐵電聚合物薄膜，經(jīng)過(guò)退火處理，去除界面殘留溶劑及保證薄膜具有良好結(jié)晶特性。在此之上，使用掩模版蒸鍍?cè)绰╇姌O，最后在氮?dú)猸h(huán)境下使用旋涂的方法，旋涂(PEA)2SnI4前驅(qū)體溶液，再經(jīng)過(guò)退火使溶液揮發(fā)促進(jìn)結(jié)晶制備完成(PEA)2SnI4光電場(chǎng)效應(yīng)管器件。該器件對(duì)可見(jiàn)光光譜范圍有較好響應(yīng)，響應(yīng)率為14.57A/W,探測(cè)率高達(dá)1.74x1012Jones。響應(yīng)時(shí)間上升沿50ms，下降沿1.5s。