本發(fā)明涉及一種硫化銻微納米管的制備方法，屬于光電材料制備技術領域。本發(fā)明將固體硫源放置在加熱設備的低溫加熱區(qū)，將礦源銻放置在加熱設備的高溫硫化反應區(qū)，采用保護氣體進行洗氣，然后加熱至低溫加熱區(qū)的溫度為150～300℃，高溫硫化反應區(qū)溫度為350～500℃，低溫加熱區(qū)的固體硫源釋放氣態(tài)硫與高溫硫化反應區(qū)的礦源銻反應生成硫化銻，硫化銻在基底上冷凝即得硫化銻微納米管。本發(fā)明工藝簡單，可大規(guī)模制備長度為100nm～20mm的大尺寸硫化銻微納米管，有利于實現光生載流子在徑向上的傳輸與分離，相較于普通球型或無規(guī)則硫化銻材料具有更大的比表面積，適用于光電探測及光催化領域。