本發(fā)明涉及一種DRAM存儲(chǔ)器的性能檢測(cè)方法和檢測(cè)電路。DRAM存儲(chǔ)器的性能檢測(cè)方法包括如下步驟：將存儲(chǔ)單元的字線的一端和/或位線的一端分別與測(cè)量焊盤(pán)連接，所述存儲(chǔ)單元位于DRAM存儲(chǔ)器的邊緣；對(duì)與所述測(cè)量焊盤(pán)連接的字線的一端和/或位線的一端施加測(cè)量電壓或測(cè)量電流；通過(guò)所述測(cè)量焊盤(pán)輸出測(cè)量結(jié)果。通過(guò)將位于DRAM存儲(chǔ)器的邊緣的存儲(chǔ)單元的字線的一端和/或位線的一端分別與測(cè)量焊盤(pán)連接，施加測(cè)量電壓或測(cè)量電流，輸出所述測(cè)量結(jié)果，能夠在不影響存儲(chǔ)單元的情況下對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行性能檢測(cè)，不影響產(chǎn)品良率和產(chǎn)品的成本。