一種提高SiC場發(fā)射陰極材料高溫電子發(fā)射穩(wěn)定性的方法，其包括以下具體步驟：1)有機前驅體聚硅硼氮烷在氣氛燒結爐中于260℃保溫30min熱交聯固化，然后球磨粉碎；2)以碳紙為襯底，在0.05mol/L的Co(NO3)2(純度：99%)乙醇溶液中浸漬處理，取出自然晾干備用；3)將粉碎得到的粉末置于石墨坩堝底部，浸漬處理的碳紙置于石墨坩堝頂部，一起置于氣氛保護爐中；4)在純度為99.9%的Ar氣氛保護下，從室溫以25℃/min加熱至1550℃；5)以15℃/min從1550℃降溫至1100℃；6)隨爐冷卻至室溫，實現原位B摻雜SiC納米線的制備；7)將SiC納米線用作場發(fā)射陰極進行電子發(fā)射性能檢測和分析。通過B摻雜，SiC場發(fā)射陰極材料的高溫電子發(fā)射穩(wěn)定性得到了有效提高。