本發(fā)明提供了一種基于硫化鎢納米片的阻變存儲器及其制備方法，所述憶阻器的結(jié)構(gòu)從下到上依次包括Pt襯底、在所述Pt襯底上形成的第一ZrO2阻變層、在所述第一ZrO2阻變層上形成的WS2納米片介質(zhì)層、在所述WS2納米片介質(zhì)層上形成的第二ZrO2阻變層以及在所述第二ZrO2阻變層上形成的Ag電極層。本發(fā)明提供的阻變存儲器通過性能檢測證明其具有良好的阻變特性，呈現(xiàn)出較為穩(wěn)定的阻值變化，高電阻值和低電阻值之間相差較大，不容易造成誤讀，而且該WS2納米片阻變存儲器在高阻態(tài)和低阻態(tài)下的抗疲勞特性均比較優(yōu)異。