本發(fā)明公開了一種實現(xiàn)相變存儲器低功耗的方法，包括：A、對一相變存儲器的材料進行電性能檢測，獲得：該相變存儲器的電阻由高電阻到低電阻變化的第一時間和維持相變材料結晶溫度的第一最大電流和第一最小電流；及相變存儲器的電阻由低電阻到高電阻變化的第二時間和維持相變材料熔化溫度的第二最大電流和第二最小電流；B、對該相變存儲器執(zhí)行置位(SET)操作時，輸入SET電流，該SET電流在所述第一時間內(nèi)從所述第一最小電流逐漸增大到所述第一最大電流，然后逐漸減小到0；執(zhí)行重置(RESET)操作時，向相變存儲器輸入RESET電流，該RESET電流在所述第二時間內(nèi)從所述第二最大電流逐漸減少到所述第二最小電流后關斷。應用本發(fā)明，能夠明顯降低相變存儲器的功耗。