一種制備SiC柔性場(chǎng)發(fā)射陰極材料的方法，其包括以下具體步驟：(1)有機(jī)前驅(qū)體聚硅氮烷于260℃保溫30min熱交聯(lián)固化，然后球磨粉碎：(2)選擇碳布為柔性襯底，在0.05mol/LCo(NO3)2乙醇溶液中浸漬并超聲處理10s，然后自然晾干備用；(3)將粉碎得到的粉末和浸漬處理的碳布襯底分別置于石墨坩堝底部和頂端：(4)將石墨坩堝置于氣氛燒結(jié)爐中，在氮?dú)寤旌蠚夥毡Ｗo(hù)下加熱至1500～1550℃進(jìn)行高溫?zé)峤猓?5)隨爐冷卻至室溫，實(shí)現(xiàn)以碳布為襯底的柔性SiC準(zhǔn)定向納米陣列的制備：(6)將SiC準(zhǔn)定向納米陣列結(jié)構(gòu)用作場(chǎng)發(fā)射陰極進(jìn)行場(chǎng)發(fā)射性能檢測(cè)和分析。所制備的SiC場(chǎng)發(fā)射陰極材料具有良好的柔性和優(yōu)異的場(chǎng)發(fā)射性能，有望應(yīng)用在柔性顯示和小型x射線管等領(lǐng)域。