本發(fā)明提供了一種半導體ETFE復合薄膜的制作方法，所述半導體ETFE復合薄膜包括以下重量百分比的組分：2~5%PI和95~98%ETFE，包括以下步驟：（a）將所述PI和所述ETFE分別烘干；（b）將烘干后的所述PI和所述ETFE進行攪拌混合得混合物料；（c）對所述混合物料進行冷卻得冷卻物料；（d）將所述冷卻物料進行高溫流延即可。通過精確控制其組分含量，使得ETFE復合薄膜具有合適的拉伸強度和斷裂伸長率，并能滿足在170℃溫度下進行性能檢測。