本發(fā)明提供了一種偏振光探測(cè)器及其制備方法,其中,該偏振光探測(cè)器包括:襯底;源電極和漏電極,設(shè)置于襯底上;一維硒硫化銻(Sb2(SxSe1?x)3)合金納米線(xiàn),作為偏振光探測(cè)器的有源層,設(shè)置于襯底上的源電極和漏電極之間,其中,硒硫化銻(Sb2(SxSe1?x)3)合金納米線(xiàn)中組分比例可調(diào)節(jié),x介于0~1之間。
聲明:
“偏振光探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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