一種生長(zhǎng)半絕緣砷化鎵單晶的摻碳裝置及摻碳方法，涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，包括石英管和PBN坩堝組，PBN坩堝組裝于石英管內(nèi)，石英管的兩端安裝有密封卡頭，石英管的兩端分別設(shè)置有管路，分別稱為充氣管路和排氣管路，充氣管路上設(shè)置有通斷閥門三，充氣管路上游為兩個(gè)并聯(lián)的支氣管路，分別稱為充氧管路和充碳管路，充氧管路連接有氧氣源，充碳管路連接有碳?xì)庠矗⑶揖ㄟ^閥門控制氧氣源或碳?xì)庠吹耐〝啵慌艢夤苈返南掠螢閮蓚€(gè)并聯(lián)的支氣管路，分別稱為放氣管路和抽真空管路，放氣管路上設(shè)置有閥門，抽真空管路上連接有抽真空裝置。本申請(qǐng)可分別實(shí)施充氧烘烤工藝和C沉積工藝，兩個(gè)工藝在同一設(shè)備上依次進(jìn)行，簡(jiǎn)化了設(shè)備，節(jié)省了熱能損耗。