本發(fā)明涉及集成電路制造工藝和版圖設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨的缺陷檢測(cè)方法，該方法包括：提取CMP工藝前的材料結(jié)構(gòu)信息；確定CMP相關(guān)工藝參數(shù)；建立符合CMP去除機(jī)理的CMP預(yù)測(cè)模型；進(jìn)行CMP缺陷檢測(cè)版圖設(shè)計(jì)，確定CMP工藝缺陷產(chǎn)生條件。利用本發(fā)明可以在版圖設(shè)計(jì)階段最小化化學(xué)機(jī)械研磨工藝缺陷區(qū)域面積，從而減小冗余金屬填充數(shù)量，提高產(chǎn)品優(yōu)良率。