本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械拋光終點(diǎn)偵測(cè)裝置及方法，該終點(diǎn)偵測(cè)裝置至少包括：用于探測(cè)晶圓研磨表面溫度變化的紅外探測(cè)器，其中，所述晶圓至少包括基底層和位于基底層上的待拋光層，所述待拋光層與基底層具有不同的導(dǎo)熱系數(shù)；與所述紅外探測(cè)器電連接的數(shù)據(jù)處理分析系統(tǒng)，處理分析紅外探測(cè)器輸出溫度的變化，獲得一溫度梯度隨時(shí)間變化的曲線，根據(jù)該曲線判斷晶圓拋光終點(diǎn)。本發(fā)明提供的化學(xué)機(jī)械拋光終點(diǎn)偵測(cè)裝置通過數(shù)據(jù)處理分析系統(tǒng)處理紅外探測(cè)器輸出的溫度信息后，獲得晶圓拋光表面的溫度梯度隨時(shí)間的變化曲線，這樣可方便的從獲得的曲線中判斷出化學(xué)機(jī)械拋光的終點(diǎn)。