本發(fā)明涉及一種熱絲化學(xué)氣相沉積過程中光發(fā)射譜的測試方法及其裝置，屬于光譜研究技術(shù)領(lǐng)域。采用射頻激發(fā)，在熱絲化學(xué)氣相沉積制備硅薄膜的氣相中產(chǎn)生發(fā)光基元，通過雙狹縫、光纖、光譜儀來測量和分析射頻激發(fā)熱絲化學(xué)氣相沉積的光發(fā)射譜，認識氣相過程特征，指導(dǎo)薄膜制備。本發(fā)明裝置發(fā)射的光譜，能夠解釋氣壓變化和氣體流量等沉積參數(shù)的變化與微晶硅薄膜沉積速率和微結(jié)構(gòu)的關(guān)系，是研究HWCVD氣相過程的有效方法之一。本方法和裝置操作簡單，易于實現(xiàn)，數(shù)據(jù)重復(fù)可靠，可應(yīng)用于太陽電池、微電子等領(lǐng)域中涉及到熱絲化學(xué)氣相沉積的薄膜制備技術(shù)中。