本發(fā)明公開了一種三維非均勻化學(xué)刻蝕球型電極硅探測(cè)器，包括基體B、A1層和A2層，所述A1層和A2層分別設(shè)置于基體B的上表面和下表面，所述A1層的邊緣覆蓋有O1層，所述A2層的邊緣覆蓋有02層，所述A1層和A2層之間設(shè)置有基體B，所述基體B的頂部設(shè)有不同半徑但寬度相同的圓環(huán)柱F1?F3，所述基體B頂部的中央懸浮有中央收集陽極FO，所述基體B的底部設(shè)有外圍電極C1?C9，且通過D連接在一起。本發(fā)明三維非均勻化學(xué)刻蝕球型電極硅探測(cè)器以其均勻的電勢(shì)電場分布，沒有死區(qū)，電荷收集率高等優(yōu)點(diǎn)，可應(yīng)用在光子物理實(shí)驗(yàn)以及較低輻照強(qiáng)度的科研領(lǐng)域。通過對(duì)三維非均勻化學(xué)刻蝕球型電極硅探測(cè)器的研究，可以使三維理想球型電極硅探測(cè)器的設(shè)想得以實(shí)現(xiàn)。