本發(fā)明公開(kāi)了一種化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置及其控制方法,所述CVD裝置包括:腔室;設(shè)置在所述腔室內(nèi)的在其上放置基片的基座;設(shè)置在所述基座上方并供給工藝氣的工藝氣供給單元;設(shè)置在所述基座上方并朝向所述基座或基片開(kāi)口的檢測(cè)管;安裝在所述檢測(cè)管的一端并通過(guò)所述檢測(cè)管檢測(cè)所述基座或基片溫度的溫度檢測(cè)部件;和將吹掃氣注入所述檢測(cè)管的吹掃氣供給單元。使用所述化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置及其控制方法,通過(guò)注入所述吹掃氣可以更為有效地防止吹掃氣回流進(jìn)入所述檢測(cè)管中。因此,可以擴(kuò)大所述檢測(cè)管的出口,使得即使在光學(xué)高溫計(jì)使用數(shù)值孔徑較低的物鏡時(shí),性能也足以進(jìn)行溫度檢測(cè)。