本發(fā)明提供了一種化學(xué)機(jī)械拋光方法及裝置，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域?；瘜W(xué)機(jī)械拋光方法包括：利用至少兩個(gè)拋光冷卻階段對(duì)硅片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，每一所述拋光冷卻階段依次包括拋光階段和冷卻階段；其中，在所述拋光階段使用拋光液對(duì)所述硅片進(jìn)行拋光；在所述冷卻階段檢測(cè)拋光盤的溫度，根據(jù)所述拋光盤的溫度調(diào)整冷卻液的添加劑量，將所述冷卻液直接通入到所述拋光盤的表面對(duì)所述拋光盤進(jìn)行冷卻。本發(fā)明能夠提高硅片的表面平坦度。