一種控制化學(xué)氣相沉積腔室內(nèi)的基底加熱的裝置及方法，尤其適用于MOCVD反應(yīng)室。裝置包括：位于腔室內(nèi)的加熱器；位于腔室內(nèi)加熱器附近且與加熱器相間隔開(kāi)的托盤，用于承載基底；第一溫度控制單元，與承載基底的托盤表面耦接，用于測(cè)量該托盤表面溫度，基于設(shè)定溫度和托盤表面溫度輸出第一控制信號(hào)；第二溫度控制單元，與第一溫度控制單元相連，用于測(cè)量托盤和加熱器之間區(qū)域的中間溫度，還用于根據(jù)第一控制信號(hào)和中間溫度輸出第二控制信號(hào)；加熱器，與第二溫度控制單元耦接，用于根據(jù)第二控制信號(hào)進(jìn)行加熱。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種控制化學(xué)氣相沉積腔室內(nèi)的基底加熱的方法。本發(fā)明可以獲得穩(wěn)定的基底溫度。