本發(fā)明提供了一種鍺的化學(xué)機(jī)械拋光方法，該方法包括以下步驟：a.提供待拋光的晶圓，該晶圓具有生長(zhǎng)完成的鍺溝槽，鍺溝槽之間為測(cè)量隔離區(qū)；b.確認(rèn)鍺溝槽與測(cè)量隔離區(qū)齊平的最低圖形密度ρ；c.在晶圓上圖形密度小于等于ρ的鍺溝槽上涂覆光刻膠；d.對(duì)未被光刻膠覆蓋的區(qū)域進(jìn)行離子注入處理；e.去除光刻膠；f.對(duì)所述晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光。本發(fā)明在完成外延生長(zhǎng)單晶Ge溝槽后，選擇性的對(duì)高密度圖形區(qū)的凸起Ge溝道進(jìn)行離子注入，然后再進(jìn)行Ge的CMP，提高CMP過(guò)程中對(duì)高密度去凸出部分的材料移除速率。這樣可以避免因圖形密度不同而造成Ge材料移除速率的差異，從而改善Ge溝道CMP后的局部均勻性。