本發(fā)明提供了一種對半導體晶片上的氧化硅和氮化硅進行拋光的方法,包括以下步驟,用第一含水組合物對氧化硅平化,該含水組合物包含0.01-5重量%的羧酸聚合物,0.02-6重量%的磨料,0.01-10重量%的聚乙烯基吡咯烷酮,0-5重量%的陽離子性化合物,0-1重量%的鄰苯二甲酸和鹽,0-5重量%的兩性離子化合物,余量為水,其中該聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量為100-1000000克/摩爾。該方法進一步包括,檢測平化終點,并用第二含水組合物清除氧化硅,該含水組合物包含0.001-1重量%的季銨化合物,0.001-1重量%的鄰苯二甲酸及其鹽,0.01-5重量%的羧酸聚合物,0.01-5重量%的磨料,余量為水。