本發(fā)明提供了一種凈化間環(huán)境檢測方法，至少包括如下步驟：提供一化學放大光刻膠；然后，對所述化學放大光刻膠進行曝光及曝光后烘烤；待所述化學放大光刻膠上因曝光而產生的光酸與凈化間內空氣接觸后，在所述化學放大光刻膠上形成T型結構；然后，再對所述T型結構進行數據測定。相較于現有技術，本發(fā)明是通過直接測量光刻膠T型形貌來檢測凈化間內空氣中雜質對DUV光刻工藝的影響，檢測獲得的數據簡單直觀，且檢測成本較低。