本實用新型公開一種鈾礦測井的4H?SiC中子探測器，該探測器為肖特基結(jié)構(gòu)，以n+型4H?SiC晶體作為襯底，利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在襯底的正面同質(zhì)外延生長n?型4H?SiC外延層；利用磁控濺射技術(shù)在襯底的反面和外延層一側(cè)分別沉積多層金屬和保護層并退火處理，形成歐姆接觸和肖特基接觸；最后利用光刻和磁控濺射技術(shù)在肖特基接觸上濺射6LiF形成中子轉(zhuǎn)換層。除了具有常規(guī)的半導(dǎo)體中子探測器的優(yōu)點外，4H?SiC中子探測器還具有體積小、n/γ甄別容易、抗高溫、耐輻照的優(yōu)點。本實用新型是一種探測效率高、計數(shù)率高的4H?SiC中子探測器，適合于鈾礦測井這種狹小空間、高溫度和強輻射的環(huán)境。