本發(fā)明公開了一種單片晶圓測試多臺設(shè)備的方法，包括以下步驟：應(yīng)力測試儀對裸硅晶圓進(jìn)行應(yīng)力前置測試，獲取前置應(yīng)力值；將裸硅晶圓置入化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，對應(yīng)力測試后的裸硅晶圓沉積氮化硅，膜厚測試儀對沉積氮化硅的硅晶圓進(jìn)行膜厚和折射率測試，獲取氮化硅膜厚和折射率作為化學(xué)氣相沉積設(shè)備測機(jī)參數(shù)，以及應(yīng)力測試儀對沉積氮化硅的硅晶圓進(jìn)行后置應(yīng)力測試，獲取第一后置應(yīng)力值。本方案省去多道傳統(tǒng)檢測工藝步驟，簡化測機(jī)工藝流程，縮短了檢測周期，減少測機(jī)片的使用，提高檢測效率。