本發(fā)明公開了一種雪崩放大長波量子阱紅外探測器,包括InP襯底(1)及 通過分子束外延或金屬有機化學(xué)氣相沉積依次生長于InP襯底(1)上的下電極 (2)、多個周期的多量子阱層(3)、上電極(4),所述多個周期的多量子阱層(3) 中InP作為勢壘層,InxGa1-xAsyP1-y作為量子阱層,當(dāng)器件工作時,在InxGa1-xAsyP1-y 量子阱層可以產(chǎn)生雪崩放大。本發(fā)明增強探測器的量子效率,提高器件的響應(yīng) 率,實現(xiàn)對長波紅外光的探測。
聲明:
“雪崩放大長波量子阱紅外探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)