本發(fā)明公開了一種全碳結(jié)構(gòu)的光調(diào)制太赫茲吸收器件的制備方法，此方法利用簡單的化學組裝與還原、分子晶體輔助轉(zhuǎn)移得到獨立支撐石墨烯納米材料，通過燒結(jié)溫度和時間調(diào)控，得到了缺陷可控的石墨烯薄膜結(jié)構(gòu)。此薄膜具有良好的太赫茲透過性或者屏蔽性。將此不同結(jié)構(gòu)的薄膜聚酰亞胺層層組裝形成夾心結(jié)構(gòu)，置于太赫茲光下，隨著表面滴加分子濃度的增加，太赫茲透射光譜峰位會隨之變化，因此可以制備成太赫茲分子檢測器件，用于檢測分子殘留；同時雙層石墨烯納米膜層皆可以進行光學調(diào)控，可用來檢測光學強度的變化。此外，利用兩種刻蝕方法相結(jié)合，不同尺度增加比表面積，在同樣分子含量檢測的滴加下，其對材料電學性質(zhì)的改變會更大，太赫茲信號改變也會更大。