本發(fā)明涉及的基于一維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的光電傳感器和制作方法,包括:一單晶硅片式基體;依次通過熱氧化法生長(zhǎng)于單晶硅片式基體表面上的二氧化硅層和采用低壓化學(xué)氣相沉積法或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法淀積在二氧化硅層表面上的氮化硅層;二氧化硅層和氮化硅層構(gòu)成絕緣層;還包括:通過光刻/離子刻蝕法制備于絕緣層表面上的由第一梳式電極和第二梳式電極構(gòu)成的梳式電極對(duì);電極對(duì)的多梳齒端相對(duì)放置,之間組裝有一維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu);有益效果:微電極對(duì)的制作為標(biāo)準(zhǔn)微加工工藝,方法簡(jiǎn)單;一維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)尺寸小,表面積/體積比大,光電效率高,且簡(jiǎn)單的電泳組裝可實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn);該光電傳感器尺寸小,靈敏度高,能用于光檢測(cè)、光開關(guān)等。