本發(fā)明公開了一種IGBT用硅襯底拋光片的制備方法。該方法依次包括以下工序：硅單晶生長→晶體檢測→滾磨→多線切割→倒角→雙面研磨→化學(xué)腐蝕→POLY薄膜生長→中間檢測→化學(xué)機(jī)械拋光→清洗→出廠檢驗(yàn)，其中，在拉晶過程中采用水平磁場，磁場強(qiáng)度為1000?5000高斯，磁場形狀為馬鞍形，晶轉(zhuǎn)為5?15rpm，堝轉(zhuǎn)為0.1?3rpm，晶體生長時(shí)控制液面位置波動(dòng)范圍為±0.5mm；在倒角工序中，分別使用1000#倒角輪倒角2次，3000#倒角輪倒角2次，最終倒角幅長控制在500?700μm；在POLY薄膜生長工序中，載具轉(zhuǎn)速為0.5?3rpm，LPCVD的工藝溫度區(qū)間為600?630℃，LPCVD的氣體流量區(qū)間為50?200mL/min。采用本發(fā)明能夠獲得晶體微缺陷極少、幾何參數(shù)高度精密的IGBT用8英寸硅襯底拋光片。