本發(fā)明公開了一種基于水蒸氣的二維過渡金屬硫?qū)倩衔镛D(zhuǎn)移方法，主要解決先現(xiàn)有技術(shù)工藝復(fù)雜且易于化學污染的問題。其實現(xiàn)方案是：1)使用化學氣相沉積CVD方法在生長基片上生長二維材料薄膜；2)用等離子體激活超薄碳膜Cu網(wǎng)作為目標載體；3)利用水蒸氣在二維材料與襯底表面蒸鍍一層水層；4)用酒精將襯底表面的二維材料沖洗到超薄碳膜Cu網(wǎng)表面；5)將超薄碳膜Cu網(wǎng)在熱板上加熱烘干固化，完成從生長基片到超薄碳膜Cu網(wǎng)的轉(zhuǎn)移。本發(fā)明工藝簡單靈活，無需刻蝕犧牲層，耗時短、效率高，轉(zhuǎn)移過程中無化學污染，可用于推廣以二維過渡金屬硫?qū)倩衔餅榇淼钠渌S材料的轉(zhuǎn)移和分析過程中。