本發(fā)明提供了一種一維單晶鍺基石墨烯等離激元納米結(jié)構(gòu)的制備方法，步驟如下：（1）在襯底上利用磁控濺射的方法濺射金納米薄膜；（2）在步驟（1）得到的襯底上采用化學(xué)氣相沉積生長摻雜鍺單晶納米線；（3）在步驟（2）得到的摻雜鍺單晶納米線表面采用化學(xué)氣相沉積直接生長高質(zhì)量石墨烯，獲得一維鍺基石墨烯表面等離激元納米結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過化學(xué)氣相沉積法在鍺單晶納米線表面直接生長石墨烯，避免了傳統(tǒng)的石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移過程，最大程度上減小了轉(zhuǎn)移過程對石墨烯載流子遷移率的影響，增強(qiáng)了鍺與石墨烯之間中紅外表面等離激元的耦合。本發(fā)明所提供的材料具有強(qiáng)烈且可調(diào)的表面等離激元效應(yīng)，有望在分子指紋檢測、中紅外傳感、光子芯片等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。