本發(fā)明公開(kāi)了一種硒化銻薄膜在線硒補(bǔ)償方法及裝置。本發(fā)明的方法是在應(yīng)用濺射法制備硒化銻薄膜的過(guò)程中,在生長(zhǎng)室腔體內(nèi)蒸發(fā)固體硒源,以進(jìn)行在線硒補(bǔ)償,優(yōu)化薄膜成分。本發(fā)明方法通過(guò)調(diào)節(jié)蒸發(fā)硒源的溫度時(shí)間等參數(shù),可對(duì)制備的硒化銻薄膜化學(xué)成分進(jìn)行調(diào)節(jié)并使之符合化學(xué)計(jì)量比,解決了應(yīng)用濺射法制備硒化銻薄膜硒缺失的問(wèn)題。本發(fā)明的裝置是在生長(zhǎng)室內(nèi)設(shè)有濺射系統(tǒng)和熱蒸發(fā)系統(tǒng);所述濺射系統(tǒng)是在所述生長(zhǎng)室內(nèi)設(shè)置有帶加熱絲的旋轉(zhuǎn)襯底臺(tái)和設(shè)置于襯底臺(tái)下方的濺射靶,以及在所述生長(zhǎng)室上設(shè)置有冷卻系統(tǒng)、進(jìn)氣系統(tǒng)、抽真空系統(tǒng)和氣壓檢測(cè)系統(tǒng);所述熱蒸發(fā)系統(tǒng)是在所述生長(zhǎng)室內(nèi)設(shè)置有用于盛放固態(tài)硒源的熱蒸發(fā)坩堝。
聲明:
“硒化銻薄膜制備方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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