本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體的加工方法，包括以下步驟：（1）晶圓處理制程，先將晶圓適當(dāng)清洗，再進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入和金屬濺鍍，最后完成數(shù)層電路及元件加工與制作；（2）晶圓針測(cè)制程，用針測(cè)儀對(duì)晶圓的每個(gè)晶粒檢測(cè)其電氣特性；（3）構(gòu)裝，將單個(gè)的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的引接線端與基座底部伸出的插腳連接，封膠，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死；（4）測(cè)試制程，將封裝后的芯片置于測(cè)試裝置的模擬環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，包括消耗功率、運(yùn)行速度和耐壓度，經(jīng)測(cè)試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。